Théorisé pour la première fois en 1971 par Leon Chua, le memristor est le quatrième élément de circuit fondamental, capable d'établir une relation non linéaire entre la charge électrique et la liaison de flux magnétique. Il a été considéré comme un composant électrique passif non linéaire à deux bornes manquant.

La résistance électrique d'un memristor varie en fonction de l'historique du courant électrique circulant dans l'appareil. Un memristor "se souvient" de sa plus récente résistance électrique à la mise hors tension, ce qui en fait une forme de mémoire non volatile.

Termes de mémoire, non linéaires